2026年DRAM价格结构性分化，DDR4/DDR3微涨而NAND Flash持续下行

2026年7月1日发布的格结构性最新存储芯片现货价格数据显示，DRAM市场呈现出显著的分化结构性分化特征。低密度DDR4与DDR3芯片价格本周出现小幅上扬，微涨但整体市场交易趋于平稳，持续尚未形成明显的下行上涨趋势。相比之下，格结构性NAND Flash现货价格延续下行通道，分化市场承压态势依然明显。微涨

在DRAM领域，持续价格回升主要集中在低密度DDR4及DDR3品类。下行以主流型号DDR4 1Gx8 3200MT/s为例，格结构性其现货均价由6月24日的分化35.900美元微升至6月30日的36.000美元，周涨幅仅为0.28%。微涨尽管其他规格偶有零星询价，持续但由于报价普遍处于高位，下行终端采购方追高意愿不足，实际成交依然清淡，市场整体维持横盘整理格局。

NAND Flash市场则持续走弱，受终端需求进一步收缩影响，价格不断探底。为加速库存周转，部分供应商已主动下调报价，但买方对当前价位的接受度已趋近极限，备货策略保持高度保守。由于缺乏实质性采购支撑，价格上行动能完全缺失，全市场处于弱势运行状态。其中，512Gb TLC晶圆现货价格本周下跌1.03%，截至6月29日报价为19.862美元。

(责任编辑：探索)