涉嫌操纵DRAM价格及供应，三星、SK海力士和美光，遭集体诉讼

随着全球内存短缺危机持续发酵，涉嫌士和讼美国当地消费者及小型企业已正式采取法律行动。操纵据悉，价格及供全球三大内存巨头——三星、应星SK海力士和美光，海力因涉嫌合谋操纵内存价格并人为限制全球供应，美光被指控违反反垄断法，遭集面临集体诉讼。体诉

诉讼背景与核心指控

该集体诉讼于6月25日在美国加利福尼亚州联邦法院提起。涉嫌士和讼诉状指出，操纵这三家公司几乎垄断了全球DRAM（动态随机存取存储器）市场的价格及供供应，却在价格大幅飙升期间刻意限制传统DRAM产品的应星供给，从而加剧了当前的海力内存短缺危机。

值得注意的美光是，就在诉讼提起前几天，遭集苹果成为最新一家因存储芯片成本上涨而提高部分产品售价的科技公司，多家手机厂商也相继跟进提价，这一现象被视为引发此次诉讼的直接导火索。

详细诉讼内容

这起集体诉讼由14名个人消费者以及包括电脑零售商在内的3家小型企业共同发起，指控三星、SK海力士和美光违反了多项美国反垄断法律。

协同控产与价格暴涨

根据诉状，自2022年市场需求疲软以来，这三家公司开始协同控制DRAM的供应量和价格。在随后的四年中，DRAM价格累计上涨约700%。

诉状称，三家公司采取了“同步削减产能”的策略，并将业务重心全面转向高带宽存储器（HBM）。与此同时，它们逐步退出DDR3和DDR4等传统存储产品市场，导致在价格持续上涨期间，传统DRAM的市场供应被进一步压缩。

行业背景：HBM的崛起

HBM广泛应用于AI数据中心。由于AI企业愿意支付高昂溢价采购HBM，存储芯片制造商因此将更多资源投入HBM生产，而非面向普通消费电子产品使用的传统DRAM。

今年早些时候，美光宣布彻底关闭旗下消费级内存品牌Crucial业务，将资源集中投向AI客户。此外，美光近期还签署了16份新的存储芯片供应协议，合同期限均延续至2030年，这意味着当前的内存供应紧张局面可能长期持续。

缺乏市场竞争机制

原告认为，在一个充分竞争的大宗商品市场中，当价格大幅上涨时，通常至少会有一家生产商扩大产量以抢占市场份额。然而，这种情况并未发生。

诉状写道：“三家公司中，没有任何一家利用其他竞争对手减产的机会扩大产能、争夺客户。相反，三家公司一起收缩供应。”

法律诉求

原告请求法院发布禁令，以“消除被告违法、反竞争行为持续造成的影响”，并要求法院判令三家公司支付三倍赔偿，并承担诉讼费用及律师费等。

极高的行业壁垒

诉状强调，由于行业进入门槛极高，新竞争者几乎无法迅速进入DRAM市场以打破垄断：

• 巨额资本投入：建设一座DRAM晶圆厂的成本高达150亿至200亿美元，且通常需要数年时间才能建成投产。
• 技术壁垒：生产高良率DRAM芯片所需的关键制造工艺积累了数十年的商业秘密。
• 出口管制限制：美国出口管制限制了外国企业获得先进一代生产设备。
• 漫长的认证流程：即使芯片顺利生产出来，进入大型客户供应链之前，还需要经历长达12至18个月的产品认证流程。

诉状称：“现实结果就是，当这三家公司限制供应时，没有任何外部竞争者能够迅速扩大产能，以更低价格与其竞争。”

诉讼前景与历史前科

目前，该诉讼规模仍相对有限。但如果法院认可原告主张并正式批准其作为集体诉讼受理，案件影响范围可能进一步扩大。代表原告的反垄断律师事务所Bathaee Dunne正寻求将案件扩展为覆盖所有购买含DRAM产品的普通消费者和企业的集体诉讼。

并非首次卷入类似案件

消费者方面表示，这并非三家公司首次因涉嫌操纵DRAM市场而面临法律诉讼。

诉状援引美国司法部此前针对1998年至2002年期间DRAM价格操纵案展开的调查：
* 三星电子和SK海力士分别认罪，并支付了近3亿美元和1.85亿美元的罚款。
* 美光因主动向监管部门举报该价格同盟并配合调查，最终免于处罚。

此外，诉状还提及2016年至2018年期间另一轮DRAM价格大幅上涨，当时美国也曾发起相关集体诉讼。

原告指出：“本案所指控的行为，是同一市场、同一批企业发生的第三轮类似周期。”

(责任编辑：探索)